第一部分 课程概论
第一部分第一次测验
1、单选题：
题1-1-1 中国高端芯片联盟正式成立时间是： 。
A: 2016年7月
B: 2017年7月
C: 2016年9月
D: 2017年9月
答案: 2016年7月
2、单选题：
题1-1-2 如下不是集成电路产业特性的是： 。
A: 资本密集
B: 技术密集
C: 低风险
D: 高风险
答案: 低风险
3、单选题：
题1-1-3 摩尔定律是指集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔： 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。
A: 12
B: 18
C: 24
D: 36
答案: 18
4、单选题：
题1-1-4 摩尔定律之后，集成电路发展有三条主线，以下不是集成电路发展主线的是： 。
A: More Moore
B: More than Moore
C: Beyond CMOS
D: SoC
答案: SoC
5、单选题：
题1-1-5 单个芯片上集成约50万个器件，按照规模划分，该芯片为： 。
A: LSI
B: VLSI
C: ULSI
D: SoC
答案: VLSI
6、单选题：
题1-1-6 年发明了世界上第一个点接触型晶体管。
A: 1947
B: 1948
C: 1957
D: 1958
答案: 1947
7、单选题：
题1-1-7 年发明了世界上第一块集成电路。
A: 1957
B: 1958
C: 1959
D: 1960
答案: 1958
8、单选题：
题1-1-8 FinFET等多种新结构器件的发明人是： 。
A: 基尔比
B: 摩尔
C: 张忠谋
D: 胡正明
答案: 胡正明
9、单选题：
题1-1-9 集成电路代工产业的缔造者： 。
A: 基尔比
B: 摩尔
C: 张忠谋
D: 胡正明
答案: 张忠谋
10、单选题：
题1-1-10 世界第一块集成电路发明者： 。
A: 基尔比
B: 摩尔
C: 张忠谋
D: 胡正明
答案: 基尔比
第二部分半导体器件物理基础
第二部分第一次测验
1、单选题：
题2-1-1、MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。
A: 夹断
B: 反型
C: 导电
D: 耗尽
答案: 夹断
2、单选题：
题2-1-2、 MOS管从不导通到导通过程中，最先出现的是（ ）。
A: 反型
B: 夹断
C: 耗尽
D: 导通
答案: 耗尽
3、单选题：
题2-1-3、 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。
A: 亚阈值区
B: 深三极管区
C: 饱和区
D: 三极管区
答案: 饱和区
4、单选题：
题2-1-4、PMOS管的导电沟道中依靠（）导电。
A: 电子
B: 空穴
C: 正电荷
D: 负电荷
答案: 空穴
5、单选题：
题2-1-5、载流子沟道在栅氧层下形成（），源和漏之间“导通”。
A: 夹断层
B: 反型层
C: 导电层
D: 耗尽层
答案: 反型层
6、单选题：
题2-1-6、下图中的MOS管工作在（）区（假定Vth=0.7V）。
A: 截止区
B: 深三极管区
C: 三极管区
D: 饱和区
答案: 饱和区
7、单选题：
题2-1-7、在NMOS中，若, 会使阈值电压（）。
A: 增大
B: 不变
C: 减小
D: 可大可小
答案: 增大
8、单选题：
题2-1-8、如果MOS管的栅源过驱动电压给定，L越（），输出电流越理想。
A: 大
B: 小
C: 近似于W
D: 精确
答案: 大
9、单选题：
题2-1-9、（）表征了MOS器件的灵敏度，即检测输入电压转换为输出电流的能力。
A:
B:
C:
D:
答案:
10、单选题：
题2-1-10、MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。
A: 体
B: 衬偏
C: 沟长调制
D: 亚阈值导通
答案: 沟长调制
第二部分第二次测试
1、单选题：
题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
A: 栅极氧化层电容
B: 耗尽层电容
C: 源漏交叠电容
D: 结电容
答案: 栅极氧化层电容
2、单选题：
题2-2-2、工作在（）区的MOS管，其跨导是恒定值。
A: 截止
B: 三极管
C: 深三极管
D: 饱和
答案: 饱和
3、单选题：
题2-2-3、 下列说法正确的是（ ）。
A: MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。
B: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。
C: MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。
D: MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
答案:
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